温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002DW
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 高密度单元设计，实现低导通电阻。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。采用SOT-363表面贴装封装。具备2KV（HBM）静电防护
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C49009904
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032617克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@4.5V；2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 高饱和电流能力
- 采用SOT - 363表面贴装封装
- 具备2KV(HBM)静电防护
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 0.3 A
- VGS = 10 V 时,RDS(ON) 最大值为 2.2 Ω
- VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) 最大值为 3.3 Ω