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BMF7N65
N沟道MOSFET
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- 描述
- 7N65 650V 7A
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF7N65
- 商品编号
- C49009910
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.21Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
BMB65N380E1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，可提供更高的效率。这些用户友好型器件能为设计人员带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- VDSS = 650 V
- ID = 7 A
- RDS(ON) @VGS = 10 V,典型值 = 1.21 Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路