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BMI02N400
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：V(BR)DSS = 20V，ID = 80A。极低的RDS(on)，RDS(on)@VGS = 4.5V，典型值为3mΩ。良好的稳定性和均匀性。良好散热的优秀封装。先进的沟槽技术。低栅极电荷。应用：负载开关。PWM应用
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMI02N400
- 商品编号
- C49009908
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46592克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 395pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品概述
AO3422采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源击穿电压V(BR)DSS = 20V,漏极电流ID = 80A
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 栅源电压VGS = 4.5V时,典型导通电阻RDS(on) = 3mΩ
- 良好的稳定性和一致性
- 散热性能良好的出色封装
- 先进的沟槽技术
- 低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理