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BM4608B
20V 互补增强型 MOSFET
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- 描述
- N+P双MOS
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM4608B
- 商品编号
- C49009909
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A；4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@6V；42nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
-栅极电荷低-用于PWM应用-用作负载开关
商品特性
- N沟道:
- VDS = 20 V
- VGS = 10 V时,RDS(ON)最大值为42 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON)最大值为45 mΩ
- P沟道:
- VDS = -20 V
- VGS = -10 V时,RDS(ON)最大值为42 mΩ
- VGS = -4.5 V时,RDS(ON)最大值为45 mΩ
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