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2N7002KN
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 60V。 ID = 0.35A。 RDS(ON) @ VGS = 10V, TYP = 1.5Ω。 RDS(ON) @ VGS = 4.5V, TYP = 1.7Ω。 逻辑电平兼容。 超快开关。应用：继电器驱动器。 高速线路驱动器
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002KN
- 商品编号
- C49009905
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V；1.7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.6pF |
商品概述
SQD90P04 - 9M4LGE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V
- 漏极电流(ID) = 0.35 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 1.5 Ω
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 1.7 Ω
- 逻辑电平兼容
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV 人体模型(HBM)
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路