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2N7002KN
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = 60V。 ID = 0.35A。 RDS(ON) @ VGS = 10V, TYP = 1.5Ω。 RDS(ON) @ VGS = 4.5V, TYP = 1.7Ω。 逻辑电平兼容。 超快开关。应用：继电器驱动器。 高速线路驱动器
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002KN
- 商品编号
- C49009905
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V；1.7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.6pF |
商品概述
SQD90P04 - 9M4LGE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V，ID = - 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.2 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET