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BMI10N881
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VBR(DSS) = 100V。 ID = 15A。 RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。应用：功率开关应用。 MB/VGA Vcore
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMI10N881
- 商品编号
- C49009906
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 14nC（典型值）。
- BVDSS = 650 V，ID = 5A
- RDS(on)：2.50 Ω（最大值）@ VG = 10 V
- 经过100%雪崩测试
- TO - 220F
- 符合RoHS标准