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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2085STRPbF

高速、100V、自振荡、占空比50%半桥驱动器

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描述
IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
商品型号
IR2085STRPbF
商品编号
C50124
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.275克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)1A
属性参数值
工作电压10V~15V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)20ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)1.5mA

商品概述

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。 该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT进行设置,其中fOSC = 1/(2RTCT)。死区时间可通过适当选择CT进行控制,范围为50ns至200ns。内部软启动功能在通电时增加脉冲宽度,并在整个启动周期内保持高低端输出的脉冲宽度匹配。IR2085S在通电时和每次过流情况后都会启动软启动。如果VCC低于7.5V,欠压锁定功能将阻止器件工作。

商品特性

  • 简单的初级侧控制解决方案,可用于48V分布式系统的半桥直流母线转换器,减少元件数量和电路板空间
  • 集成50%占空比振荡器和半桥驱动IC于单个SO - 8封装中
  • 可编程开关频率,每通道最高可达500kHz
  • 具备+/- 1A驱动电流能力,针对低电荷MOSFET进行了优化
  • 可调死区时间50ns - 200ns
  • 浮动通道设计,适用于高达+100Vdc的自举操作
  • 高低侧脉冲宽度匹配至+/- 25ns
  • 可调过流保护
  • 欠压锁定和内部软启动
  • 也提供无铅版本

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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