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IRS21867STRPBF

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描述: IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS21867STRPBF
商品编号: C52290
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.275克(g)

商品参数

商品概述

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。低VCC工作电压使其适用于电池供电应用。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达600V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
最高可在+600V下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
低VCC工作电压
栅极驱动电源范围为5V至20V
双通道欠压锁定
兼容3.3V和5V输入逻辑
双通道传播延迟匹配
逻辑地和功率地有+/-5V偏移
较低的di/dt栅极驱动器，具有更好的抗噪性
输出源/灌电流能力为4.0A（典型值）
无铅，符合RoHS标准

应用领域

电池供电设备
手动工具
叉车
高尔夫球车
遥控模型设备
电动自行车

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边；低边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	22ns
	下降时间(tf)	18ns
	传播延迟 tpLH	170ns
	传播延迟 tpHL	170ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	120uA