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ZXMP10A13FTA
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.7A
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- 描述
- 该MOSFET采用了独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMP10A13FTA
- 商品编号
- C50185
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 141pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.8pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：141pF @ 50V
功率 - 最大值：625mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：141pF @ 50V
功率 - 最大值：625mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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