HIP4082IBZT
HIP4082IBZT
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- 描述
- 80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP4082IBZT
- 商品编号
- C50123
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 4 | |
| 灌电流(IOL) | 1.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 8.5V~15V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 2.3mA |
商品概述
HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC,提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。 HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用,使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压最高可达80V,最适合中等功率水平的应用。 与HIP4081类似,它具有灵活的输入协议,可驱动除会导致直通情况之外的所有可能的开关组合。HIP4082降低了驱动电流,允许采用更小的封装,并且具有更宽范围的可编程死区时间(0.1至4.5μs),使其非常适合高达200kHz的开关频率。HIP4082不包含内部电荷泵,但采用了上驱动电路的非锁存电平转换控制。 这组特性和规格针对尺寸和成本至关重要的应用进行了优化。对于需要更高驱动能力的应用,建议使用HIP4080A和HIP4081A。
商品特性
- 可独立驱动半桥或全桥配置中的4个N沟道FET
- 自举电源最大电压可达95VDC
- 在50℃的自由空气中驱动1000pF负载,典型上升和下降时间为15ns
- 用户可编程死区时间(0.1至4.5μs)
- DIS(禁用)功能可覆盖输入控制,拉低时可刷新自举电容
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 直通保护
- 欠压保护
- 提供无铅加退火版本(符合RoHS标准)
应用领域
- UPS系统
- 直流电机控制
- 全桥电源
- 开关功率放大器
- 噪声消除系统
- 电池供电车辆
- 外设
- 中/大型音圈电机
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交53单
