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CI60N120SMD8实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CI60N120SMD8

碳化硅MOSFET,高阻断电压,低导通电阻,高速开关

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描述
1200V40毫欧
商品型号
CI60N120SMD8
商品编号
C48586466
商品封装
TOLL-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.94克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)60A
耗散功率(Pd)330W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)205nC
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)180pF
导通电阻(RDS(on))52mΩ

商品特性

  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 高速开关与低电容
  • 易于并联且驱动简单
  • 雪崩鲁棒性
  • 抗闩锁
  • 无卤素,符合RoHS标准

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • 高压DC/DC转换器
  • 电池充电器
  • 电机驱动器

数据手册PDF