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CID22N65

650V GaN增强型功率晶体管

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描述
650V80毫欧
商品型号
CID22N65
商品编号
C48586481
商品封装
TOLT-16​
包装方式
管装
商品毛重
1.363333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型N沟道
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)22A
耗散功率(Pd)297W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)6nC
输入电容(Ciss)230pF
反向传输电容(Crss)0.13pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)71pF
导通电阻(RDS(on))70mΩ

商品特性

  • 增强型晶体管 - 常关功率开关
  • 超高开关频率
  • 具备反向导通能力,无反向恢复电荷
  • 低栅极电荷,低输出电荷
  • 符合 JEDEC 标准,适用于工业应用
  • 具备 ESD 保护

应用领域

  • 交流-直流转换器
  • 直流-直流转换器
  • 图腾柱功率因数校正,LLC
  • 快速电池充电
  • 工业、电信、数据中心开关电源
  • 高密度功率转换
  • 高效率功率转换

数据手册PDF