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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CID22N65

650V GaN增强型功率晶体管

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私有库下单最高享92折
描述
650V80毫欧
商品型号
CID22N65
商品编号
C48586481
商品封装
TOLT-16​
包装方式
管装
商品毛重
1.363333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)22A
耗散功率(Pd)297W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC
输入电容(Ciss)230pF
反向传输电容(Crss)0.13pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)71pF
导通电阻(RDS(on))70mΩ

数据手册PDF