温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CJQ4435A
P沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于各种应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJQ4435A
- 商品编号
- C48586619
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.395nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
商品概述
CJQ4435A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于各种应用。
商品特性
- 表面贴装封装
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用