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CJQ4435A
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于各种应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJQ4435A
- 商品编号
- C48586619
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.395nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
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