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IPD60R180P7S(TOKMAS)
N沟道650V、20A、0.19Ω超结功率MOSFET
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- 描述
- COOLMOS 650V160毫欧
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IPD60R180P7S(TOKMAS)
- 商品编号
- C48586469
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3722克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.303nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52.7pF |
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on)×Qg
- 100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)