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IRFP4668PBF(TOKMAS)
N沟道，200V、110A、9.2mΩ功率MOSFET
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- 描述
- N沟道200V9.2毫欧
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IRFP4668PBF(TOKMAS)
- 商品编号
- C48586470
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63.5nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI2312A是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。SI2312A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 200V、110A,RDS(on)最大值=11.5mΩ(VGS=10V时)
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可选
应用领域
- 电机驱动器
- 不间断电源(UPS)
- DC-DC转换器
- 电信
- 电池管理