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SIS443DN-T1-GE3(TOKMAS)
P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- P沟道-40V9毫欧
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SIS443DN-T1-GE3(TOKMAS)
- 商品编号
- C48586476
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.251克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -40A,当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的出色封装
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)
应用领域
- 反接电池保护
- 负载开关
- 电源管理
- 脉宽调制（PWM）应用