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EG12522

双管正激专用半桥驱动芯片

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描述
EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路,专用于双管正激电源场合。
品牌名称
EG(屹晶微)
商品型号
EG12522
商品编号
C48580024
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.189575克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.2A
拉电流(IOH)800mA
工作电压4V~20V
上升时间(tr)30ns
属性参数值
下降时间(tf)20ns
传播延迟 tpLH100ns
传播延迟 tpHL70ns
工作温度-45℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-300mV~1V
静态电流(Iq)0uA
功能特性死区时间控制

商品概述

EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路,专用于双管正激电源场合。该芯片高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽,为4V~20V。其输入通道IN内建了一个100kΩ下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态。输出电流能力IO+/-为0.8A/1.2A,采用SOP8封装。当输入逻辑信号IN为“0”时,驱动器控制输出HO为“0”(上管关断),LO为“0”(下管关断);当输入逻辑信号IN为“1”时,驱动器控制输出HO为“1”(上管打开),LO为“1”(下管打开)。该芯片采用自举悬浮驱动电源结构,大大简化了驱动电源设计,仅用一路电源电压VCC即可完成高端N沟道MOS管和低端N沟道MOS管两个功率开关器件的驱动。自举电容VC的最小容值可按以下公式计算:VC ≥ 15 × (2 × [2 × Qg + Qperiod + (Ibso/F) + (Ibsc/F)]) / (Vcc - VF - Vds)。其中:Qg为高压侧MOS管的栅极电荷;Qperiod为每个周期中电平转换电路的电荷要求,约为5nC;Ibso为高压侧驱动电路打开时的静态电流;Ibsc为自举电容的漏电流;F为电路工作频率;Vcc为低端电源电压;VF为自举二极管的正向压降;Vds为MOS管需要彻底打开的GS电压。

商品特性

  • 双管正激电源600V高压驱动
  • 高端悬浮自举电源设计
  • IN适应0-20V输入电压
  • 小于1μA静态电流
  • 最高频率支持500kHz
  • 低端VCC电压范围4V-20V
  • 输出电流能力IO+/- 0.8A/1.2A
  • HO、LO通道匹配输出
  • 外围器件少
  • 封装形式:SOP8

应用领域

  • 双管正激电源

数据手册PDF