温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDV301N-TP
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDV301N-TP
- 商品编号
- C48543190
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 静电放电(ESD)保护栅极,典型值6kV(人体模型HBM)
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 便携式设备和电池直流-直流(DC/DC)转换器