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TPRU30L15H
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPRU30L15H
- 商品编号
- C48543267
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.304667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有卓越的制造可重复性。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 漏极电流(ID) = -60A
- 当栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 11 mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换