温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MGSF1N02LT1G-TP
N沟道 耐压:20V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- MGSF1N02LT1G-TP
- 商品编号
- C48543204
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单