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IRF6665TRPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:19A 电流:4.2A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6665TRPBF
- 商品编号
- C495792
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术,以实现单位硅面积的低导通电阻。此外,还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以改善D类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。 IRF6665PbF器件采用DirectFETTM封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比,DirectFETTM封装技术具有更低的寄生电感和电阻。较低的电感可减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃,从而改善EMI性能。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时,DirectFETTM封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFETTM封装还支持双面散热,以最大限度地提高电源系统的热传递效率,改善热阻和功率耗散。这些特性相结合,使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 最新的MOSFET硅技术
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低RDS(ON),提高效率
- 低 Qg,改善THD并提高效率
- 低 Qrr,改善THD并降低EMI
- 低封装杂散电感,减少振铃并降低EMI
- 无需散热片,每通道可向 8Ω 负载输出高达100W功率
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
- 符合RoHS标准,无铅和溴化物
- 无铅(可承受最高 260℃回流焊)
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源