温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSB1706DMW5T1G
- 商品编号
- C489585
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 187mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的元件集成到单个器件中，消除了这些分立元件。在NSB1706DMW5T1G中，两个BRT器件封装在SC - 88A封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准