MEM2303XG-N
1个P沟道 耐压:30V 电流:2.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2303XG-N
- 商品编号
- C489698
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.31V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MEM2303XG-N系列P沟道增强型场效应晶体管，这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低RDS(ON)确保了最小的功率损耗并节省能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括低电压应用、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、蜂窝和无绳电话）的电源管理。
商品特性
- RDS(ON),Vgs为 -10V,Ids为 -2.9A时 = 92 mΩ
- RDS(ON),Vgs为 -4.5V,Ids为 -1.9A时 = 115 mΩ
- -30V/-2.9A
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术
- 低热阻铜引线框架
- 超小型表面贴装封装:SOT23
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护
相似推荐
其他推荐