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MEM2303M3G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- MEM2303M3G系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中实现低功耗。
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2303M3G
- 商品编号
- C489699
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@15V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
MEM2303M3G系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术特别用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，以及采用超小外形表面贴装封装的低功耗应用。
商品特性
- -30V/-4.2A
- 当VGS = -10V、ID = -4.2A时，RDS(ON) = 55mΩ
- 当VGS = -4.5V、ID = -4A时，RDS(ON) = 62mΩ
- 当VGS = -2.5V、ID = -2.5A时，RDS(ON) = 72mΩ
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 超小型表面贴装封装：SOT23 - 3L
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护