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MEM2302XG-N

1个P沟道耐压:20V 电流:3A

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描述: MEM2302XG-N 系列 N 沟道增强型场效应晶体管。这些微型表面贴装 MOSFET 采用高单元密度工艺。低导通电阻 RDS(ON) 可确保功率损耗降至最低并节省能源，使该器件非常适合用于电源管理电路
品牌名称: MICRONE(南京微盟)
商品型号: MEM2302XG-N
商品编号: C489597
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.04克(g)

商品参数

商品概述

MEM2302XG-N 系列 N 沟道增强型场效应晶体管。这些微型表面贴装 MOSFET 采用高单元密度工艺。低 RDS(ON) 确保了最小的功率损耗并节省能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括 DC-DC 转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理。

商品特性

20V/3A
当 Vgs 为 2.5V、Ids 为 2.8A 时,RDS(ON) = 42mΩ
当 Vgs 为 4.5V、Ids 为 3A 时,RDS(ON) = 35mΩ
高密度单元设计,实现超低导通电阻
高功率和电流处理能力
超小型表面贴装封装:SOT23

应用领域

电池管理
高速开关
低功耗 DC-DC 转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	3A
	导通电阻(RDS(on))	35mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	800mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	750mV
	栅极电荷量(Qg)	60nC@10V
	输入电容(Ciss)	240pF
	反向传输电容(Crss)	23pF
	工作温度	-55℃~+150℃