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MEM2307M3G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- MEM2307M3G系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，且在极小外形的表面贴装封装中实现低功耗。
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2307M3G
- 商品编号
- C489594
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 108mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MEM2307M3G系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术特别用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，以及采用超小外形表面贴装封装的低功耗应用。
商品特性
- -30V/-4.1A
- 当VGS = -10V、ID = -4.1A时,RDS(ON) < 88 mΩ
- 当VGS = -4.5V、ID = -3A时,RDS(ON) < 108 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 超小型表面贴装封装:SOT23-3
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护