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MEM2310M3G
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- MEM2310M3G系列N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，并且采用极小外形的表面贴装封装，功耗较低。
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2310M3G
- 商品编号
- C489595
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 823pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
MEM2310M3G系列N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，特别用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低电压应用，以及采用超小外形表面贴装封装的低功耗应用。
商品特性
- 30V/5.8A
- (RDS(ON) = 25mΩ @ VGS = 10V, ID = 5.8A)
- (RDS(ON) = 28mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 5A)
- (RDS(ON) = 37mΩ @ VGS = 2.5V, ID = 4A)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 超小型表面贴装封装:SOT23-3L
应用领域
-电池管理-高速开关-低功耗直流-直流转换器