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WSF34V10
N沟道和P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P沟道 100V/-100V 30A/-26A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF34V10
- 商品编号
- C47116168
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.403克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V；65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF；3.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF；71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；90pF |
商品概述
WSF34V10采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且在低至4.5V的栅极电压下仍能正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSF34V10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证耐雪崩能力,且经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关