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LNG06R140
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNG06R140
- 商品编号
- C483697
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.369克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.32nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些器件是基于MDmesh™ M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH™水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 极低的漏源导通电阻
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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