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LSGC06R034W3

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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商品型号
LSGC06R034W3
商品编号
C483734
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.815克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)79.1W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)54.2nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.224nF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.05nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。

商品特性

  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 出色的 Qg x RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 符合 JEDEC 标准

应用领域

  • 交直流快速充电器同步整流
  • 电池管理
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF