温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LSGC06R034W3
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGC06R034W3
- 商品编号
- C483734
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 79.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.224nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷Qg = 18.9 nC）
- 经过100%非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器