温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LSGN04R025
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGN04R025
- 商品编号
- C483728
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.21nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 343pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（DMOST）技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 80V、80A，漏源导通电阻最大值为8.5mΩ（栅源电压为10V时）
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证抗雪崩能力
- 提供环保型器件
应用领域
- 电机驱动
- 不间断电源（UPS）
- DC-DC转换器