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LSGC085R041W3
1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- 特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGC085R041W3
- 商品编号
- C483738
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.05nF@42.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@42.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。所制得的器件具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 50.5 nC）
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电子镇流器
- 开关模式电源
- 不间断电源（UPS）