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LSGE085R065W3
1个N沟道 耐压:85V 电流:80A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGE085R065W3
- 商品编号
- C483742
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.583克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 138W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.19nF@42.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@42.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的 Qg x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)