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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LNG06R200

1个N沟道 耐压:60V 电流:35A

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商品型号
LNG06R200
商品编号
C483699
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.364克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)29.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.465nF@25V
反向传输电容(Crss)103pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DMOST)技术。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 60V、35A,RDS(ON)最大值 = 20mΩ(VGS = 10V时)
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动器-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器

数据手册PDF