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LSB55R050GT
1个N沟道 耐压:550V 电流:60A
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSB55R050GT
- 商品编号
- C483434
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 290W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.27nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP050N03Q采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 65
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.5 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 具有良好的稳定性和均匀性，单脉冲雪崩能量（EAS）高
- 工作温度为150 °C
- 引脚无铅电镀
应用领域
- 直流-直流转换器
- 适用于高频开关和同步整流