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LND18N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND18N50
- 商品编号
- C483630
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.945克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值 Qg = 50.5 nC)
- 100%进行非钳位电感开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电子镇流器
- 开关模式电源
- 不间断电源(UPS)