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LSD65R930GT
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSD65R930GT
- 商品编号
- C483524
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.872克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 930mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 349pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15.9pF |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻，特别适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 23 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）