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LSF65R180GT
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产出的器件具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用场景。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSF65R180GT
- 商品编号
- C483481
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.748nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68.6pF |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 39 nC）
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）