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RUM002N02T2L(ES)
带ESD防护 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 描述
- 带ESD防护 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- RUM002N02T2L(ES)
- 商品编号
- C46970794
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 230mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- 20V,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 150 mΩ(典型值)
- VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 200 mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换
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