RZM001P02T2L(ES)
带ESD防护 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-0.5A,功率(Pd):300mW,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th):-0.7V
- 描述
- 带ESD防护 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-0.5A,功率(Pd):300mW,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th):-0.7V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- RZM001P02T2L(ES)
- 商品编号
- C46970795
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 72pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计,在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- -20V,RDS(ON) = 365 mΩ(典型值),VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 520 mΩ(典型值),VGS = -2.5 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换
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