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RZM001P02T2L(ES)实物图
  • RZM001P02T2L(ES)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RZM001P02T2L(ES)

带ESD防护 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-0.5A,功率(Pd):300mW,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th):-0.7V

描述
带ESD防护 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-0.5A,功率(Pd):300mW,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th):-0.7V
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
RZM001P02T2L(ES)
商品编号
C46970795
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.0105克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on))680mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)1.25nC@4.5V
输入电容(Ciss)72pF
反向传输电容(Crss)16pF
类型P沟道
输出电容(Coss)20pF

商品概述

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计,在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

商品特性

  • -20V,RDS(ON) = 365 mΩ(典型值),VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 520 mΩ(典型值),VGS = -2.5 V
  • 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
  • 材料:无卤素
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低泄漏电流

应用领域

-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF