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VBFB1102M

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款一款单通道N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。TO251;N—Channel沟道,100V;12A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
商品型号
VBFB1102M
商品编号
C480961
商品封装
TO-251
包装方式
管装
商品毛重
0.599克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V,5.5A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)360pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+175℃

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