VBFB1102M
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款一款单通道N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。TO251;N—Channel沟道,100V;12A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1102M
- 商品编号
- C480961
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.599克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,5.5A | |
耗散功率(Pd) | 60W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 360pF | |
反向传输电容(Crss) | 34pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+¥2.394¥2.52
10+¥1.9¥2
30+¥1.691¥1.78
80+¥1.2635¥1.33¥106.4
480+¥1.1495¥1.21¥96.8
800+¥1.0735¥1.13¥90.4
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
9
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0
购买数量
(80个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个80个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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