VBFB1101M
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型功率MOSFET，采用Trench技术，适用于各种低功率功率转换和电源管理应用。TO251；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB1101M
- 商品编号
- C480960
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.649克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 61W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 892pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+￥2.261￥2.66
10+￥1.7595￥2.07
30+￥1.5385￥1.81
80+￥1.275￥1.5￥120
480+￥1.1475￥1.35￥108
800+￥1.0795￥1.27￥101.6
优惠活动
库存总量
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30
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购买数量
(80个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个80个/管
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￥ 0.00近期成交1单
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