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VBF2355
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款P型功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理、LED照明、电动工具和工业自动化等领域。TO251；P—Channel沟道,-30V；-20A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBF2355
- 商品编号
- C480959
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.671克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.15nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
5+￥1.688
50+￥1.3151￥105.21
160+￥1.1556￥92.45
480+￥0.9561￥76.49
2400+￥0.8673￥69.38
4800+￥0.814￥65.12
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起订量：5 个80个/管
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