VBE5638
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
- SMT扩展库
- PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE5638
- 商品编号
- C480958
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V；10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@15V；1.18nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF@15V；60pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+￥3.7145￥4.37
10+￥3.0175￥3.55
30+￥2.6605￥3.13
100+￥2.3205￥2.73
500+￥1.9805￥2.33
1000+￥1.87￥2.2￥5500
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
7
江苏仓
22
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
精选推荐
![WZ-100[800G]0.8mm](https://alimg.szlcsc.com/upload/public/product/breviary/20230204/F5C23B64924F8AED3185B6C36DF2894A.jpg)
客服
芯媒体
反馈
收起