SIC658ACD-T1-GE3

集成电源级解决方案，适用于同步降压应用，具有高电流、高效率和高功率密度

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC658ACD-T1-GE3
商品编号: C46628419
商品封装: DFN-31(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SiC658A是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。该器件采用5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。其内部功率MOSFET采用先进的TrenchFET技术，可显著降低开关和导通损耗。该器件集成了一个先进的MOSFET栅极驱动IC，具备高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关、用于测量结温并提供保护的温度传感器，以及用于提升轻载效率的零电流检测功能。该驱动器兼容多种PWM控制器，并支持三态PWM和3.3 V逻辑电平。

商品特性

采用热增强型PowerPAK MLP55-31L封装
采用最新的TrenchFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管
可提供超过50 A的连续电流，80 A峰值电流（10 ms）和100 A峰值电流（10 μs）
工作频率高达1.5 MHz
功率MOSFET针对12 V输入级优化
支持3.3 V PWM逻辑和三态功能
零电流检测控制，用于提升轻载效率
低PWM传播延迟
温度监控和故障标志
欠压锁定保护
过流保护
高侧FET短路保护
过温保护

应用领域

用于CPU的多相电压调节器
用于GPU的多相电压调节器
用于存储器的多相电压调节器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	智能功率模块(IPM)
	类型	MOSFET
	配置	半桥
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	50A
	工作电压	4.5V~5.5V
	高侧偏置电压(Vbs)	4V~5.5V
	开关频率	1.5MHz

	属性	参数值
	隔离电压(Vrms)	-
	耗散功率(Pd)	-
	静态电流(Iq)	5uA
	工作温度	-40℃~+125℃
	长度	5mm
	宽度	5mm
	功能特性	-