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FQPF7N80C-JSM
800V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：7.0A，800V。RDS(on)(Tvp) = 1.4Ω，VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。100%雪崩测试。快速开关。应用：高频开关模式电源。有源功率因数校正
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FQPF7N80C-JSM
- 商品编号
- C46628679
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.822克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路。