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STP10NK70ZFP-JSM
N沟道 耐压:800V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种应用场景。TO220F；N—Channel沟道,700V；7A；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- STP10NK70ZFP-JSM
- 商品编号
- C46628677
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.801克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
AGM60P12D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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