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SIHP21N65EF-GE3-VB
N沟道 耐压:650V 电流:20A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHP21N65EF-GE3-VB
- 商品编号
- C46527800
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 缩短反向恢复时间 (trr)、降低反向恢复电荷 (Qrr) 和反向恢复峰值电流 (IRRM)
- 优值 (FOM) 低：导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 输入电容 (Ciss) 低
- 因 Qrr 降低，开关损耗低
- 栅极电荷 (Qg) 超低
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX 电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关电源 (SMPS)
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