温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHP22N65E-GE3-VB
单N沟道 Multi-EPI 650V MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHP22N65E-GE3-VB
- 商品编号
- C46527802
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- SIHP240N60E-GE3-VB
- SIHW47N60E-GE3-VB
- SPP20N60CFD-VB
- SPP20N65C3-VB
- SPP20N65C3XKSA1-VB
- SPP80P06PHXKSA1-VB
- SPW16N50C3-VB
- SPW20N60C3FKSA1-VB
- SPW20N60CFDFKSA1-VB
- SPW24N60CFD-VB
- SPW35N60C3-VB
- SPW35N60CFDFKSA1-VB
- SPW47N60C3FKSA1-VB
- SPW47N65C3FKSA1-VB
- SPW47N65C3-VB
- SPW52N50C3-VB
- SQD19P06-60L_T4GE3-VB
- SQD40N06-14L_GE3-VB
- SQD50P08-28_GE3-VB
- SQR50N06-07L-GE3-VB
- STD30N6LF6AG-VB