温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQD50P08-28_GE3-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-50A；导通电阻：17(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-100V；-50A；RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQD50P08-28_GE3-VB
- 商品编号
- C46527821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- RoHS合规
- 漏极连接到散热片