温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQD50P08-28_GE3-VB
P沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-50A；RDS(ON)=20(mΩ)；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQD50P08-28_GE3-VB
- 商品编号
- C46527821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐